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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDW258P

FDW258P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-TSSOP
數(shù)量：: 1269
說明：: MOSFET 12V/8V PCh MOSFET

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FDW258P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：201 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：23 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：50 S
下降時(shí)間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quad Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 m Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDW258P的詳細(xì)信息，包括FDW258P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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