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FDU6030BL

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數(shù)量:
 612  
說明:
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDU6030BL-I-PAK圖片

FDU6030BL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:75
上升時間:10 ns
功率耗散:3.8 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流:42 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDU6030BL的詳細信息,包括FDU6030BL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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