中文參數如下：
典型關閉延遲時間：28 ns
上升時間：6 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：50 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0091 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FDS6694_Q的詳細信息，包括FDS6694_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
