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FDS6692A

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 7371  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
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FDS6692A-8-SOIC(0.154

FDS6692A PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:32 ns
功率耗散:1.47 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:32 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0082 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS6692A的詳細(xì)信息,包括FDS6692A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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