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FDS6688_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 7299
說明：: MOSFET SO-8

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FDS6688_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：69 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：84 S
下降時間：32 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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