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FDS4559_F085

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 6129  
說明:
 MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
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FDS4559_F085 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:19 ns, 19 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:8 ns, 10 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :14 S, 9 S
下降時間:6 ns, 12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):55 m Ohms, 105 m Ohms
漏極連續(xù)電流:4.5 A, - 3.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 60 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS4559_F085的詳細信息,包括FDS4559_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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