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FDS4435BZ_F085

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 8165  
說明:
 MOSFET 30V P-Chan PowerTrench
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FDS4435BZ_F085-SOIC-8 Narrow圖片

FDS4435BZ_F085 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:6 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :24 S
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):26 mOhms
漏極連續(xù)電流:- 8.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS4435BZ_F085的詳細(xì)信息,包括FDS4435BZ_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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