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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDP6670AL_Q

FDP6670AL_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 6795
說明：: MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDP6670AL_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：42 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：68 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：115 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP6670AL_Q的詳細(xì)信息，包括FDP6670AL_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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