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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDP2670_Q

FDP2670_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 6606
說(shuō)明：: MOSFET 200V NCh PowerTrench

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FDP2670_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：93 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時(shí)間：23 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP2670_Q的詳細(xì)信息，包括FDP2670_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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