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FDP047AN08A0-F102

廠家：
  onsemi
封裝：
 TO-220-3
數(shù)量：
 7524  
說明：
 
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FDP047AN08A0-F102 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：310W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：75 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

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