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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDMS8670

FDMS8670

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-PQFN（5x6）
數(shù)量：: 2979
說明：: MOSFET 30V/20V N-Channel Power Trench

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FDMS8670 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Power 56
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.6 Ohms
漏極連續(xù)電流：42 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDMS8670的詳細(xì)信息，包括FDMS8670廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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