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FDM606P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: MicroFET-8
數(shù)量：: 6003
說(shuō)明：: MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

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FDM606P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：134 ns
上升時(shí)間：46 ns
功率耗散：1.92 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.026 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 6.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDM606P_Q的詳細(xì)信息，包括FDM606P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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