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FDI8441

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK(TO-262)
數(shù)量:
 567  
說明:
 MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
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FDI8441-I2PAK(TO-262)圖片

FDI8441 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns
工廠包裝數(shù)量:400
上升時(shí)間:24 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:17.9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2.7 Ohms
漏極連續(xù)電流:26 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDI8441的詳細(xì)信息,包括FDI8441廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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