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FDI047AN08A0_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 5679
說明：: MOSFET 75V N-Ch PowerTrench

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FDI047AN08A0_F085 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
上升時(shí)間：88 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：45 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0047 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI047AN08A0_F085的詳細(xì)信息，包括FDI047AN08A0_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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