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FDG6335N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 5436
說明：: MOSFET FDG6335N

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FDG6335N_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：9 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：0.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2.8 S
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDG6335N_Q的詳細(xì)信息，包括FDG6335N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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