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FDD86110

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 11787
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD86110-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD86110 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：5.4 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：25 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：38 S
下降時(shí)間：3.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：10.2 mOhms
漏極連續(xù)電流：12.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD86110的詳細(xì)信息，包括FDD86110廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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