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FDD86326

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 945
說明：: MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD86326-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD86326 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：62 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：23 mOhms
漏極連續(xù)電流：37 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD86326的詳細信息，包括FDD86326廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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