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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDD6690A_Q

FDD6690A_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 4989
說明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

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FDD6690A_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：29 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：47 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 mOhms
漏極連續(xù)電流：46 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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