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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDD3510H

FDD3510H

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252（DPAK）
數(shù)量：: 5913
說明：: MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

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FDD3510H PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：16 ns, 25 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：2 ns, 3 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：2 ns, 5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.3 A, - 2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD3510H的詳細(xì)信息，包括FDD3510H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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