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FDC2612_F095

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT?-6
數(shù)量:
 4014  
說明:
 MOSFET 200V 1.1A N-CH POWERTRENCH
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FDC2612_F095-SuperSOT?-6圖片

FDC2612_F095 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:17 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:6 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):725 mOhms
漏極連續(xù)電流:1.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC2612_F095的詳細(xì)信息,包括FDC2612_F095廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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