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FDB8876

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 D2PAK（TO-263）
數(shù)量：
 3906  
說明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
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FDB8876-D2PAK（TO-263）圖片

FDB8876 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDB8876_NL
典型關閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：113 ns
功率耗散：70 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：41 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0085 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：71 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB8876的詳細信息，包括FDB8876廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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