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FDB6676S_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數(shù)量:
 4803  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDB6676S_Q-TO-263AB圖片

FDB6676S_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:89 ns
上升時(shí)間:11 ns
功率耗散:70 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:31 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.006 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:76 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

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