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FDB6021P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 7506
說明：: MOSFET P-Channel PowerTrench

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FDB6021P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80 ns
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：37 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：33 S
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.03 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 28 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB6021P_Q的詳細(xì)信息，包括FDB6021P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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