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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDB110N15A

FDB110N15A

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 6719
說明：: MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDB110N15A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：26 ns
功率耗散：234 W
柵極電荷 Qg：47 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：118 S
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.25 mOhms
漏極連續(xù)電流：92 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB110N15A的詳細信息，包括FDB110N15A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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