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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FCMT360N65S3

FCMT360N65S3

廠家：: onsemi
封裝：: 4-PQFN（8x8）
數(shù)量：: 927
說明：: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN

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FCMT360N65S3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：730 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：SuperFET? III
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是FCMT360N65S3的詳細(xì)信息，包括FCMT360N65S3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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