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FCD5N60TM-WS

廠家:
  onsemi
封裝:
 TO-252AA
數(shù)量:
 810  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
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FCD5N60TM-WS-TO-252AA圖片

FCD5N60TM-WS PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):54W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):600 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):16 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):950 毫歐 @ 2.3A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4.6A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計
包裝:SuperFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

以上是FCD5N60TM-WS的詳細(xì)信息,包括FCD5N60TM-WS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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