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ECH8619-TL-E

廠家:
  onsemi
封裝:
 8-ECH
數(shù)量:
 7866  
說明:
 MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
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ECH8619-TL-E-8-ECH圖片

ECH8619-TL-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C93 毫歐 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)-
閘電荷(Qg) @ Vgs12.8nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A, 2A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 560pF @ 20V
功率 - 最大1.3W
安裝類型表面貼裝

以上是ECH8619-TL-E的詳細(xì)信息,包括ECH8619-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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