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DMT8008SCT

廠家:
  Diodes Incorporated
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 1692  
說明:
 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
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DMT8008SCT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):2.4W(Ta),167W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1950 pF @ 40 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):7.5 毫歐 @ 30A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):111A(Tc)
漏源電壓(Vdss):80 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Diodes Incorporated

以上是DMT8008SCT的詳細信息,包括DMT8008SCT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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