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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: PowerDI3333-8
數(shù)量：: 7272
說(shuō)明：: MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS

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DMN3030LFG-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
上升時(shí)間：6.6 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：17.4 nC
下降時(shí)間：6.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerDI3333-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：27 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.3 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN3030LFG-7的詳細(xì)信息，包括DMN3030LFG-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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