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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > DI9400T

DI9400T

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: -
數(shù)量：: 4168
說明：: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

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DI9400T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 350pF @ 10V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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