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CFY 25-20 (P)

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 Micro-X
數(shù)量:
 8280  
說明:
 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
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CFY 25-20 (P)-Micro-X圖片

CFY 25-20 (P) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:CFY2520PNZ
工廠包裝數(shù)量:1
P1dB:15 dBm
配置:Single Dual Source
封裝形式:Micro-X
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:250 mW
最大工作溫度:+ 175 C
漏極連續(xù)電流:80 mA
閘/源擊穿電壓:- 5 V to 0.5 V
漏源電壓 VDS:5 V
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :40 mS
噪聲系數(shù):1.9 dB
增益:9 dB
頻率:12 GHz
技術(shù)類型:MESFET
RoHS:否
制造商:Infineon

以上是CFY 25-20 (P)的詳細(xì)信息,包括CFY 25-20 (P)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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