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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BUZ31 H

BUZ31 H

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO-220-3
數(shù)量：: 2052
說明：: MOSFET N-Channel 200V Transistor

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BUZ31 H PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BUZ31HXK BUZ31HXKSA1 SP000682992
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：150 nS
上升時(shí)間：50 nS
功率耗散：95 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時(shí)間：60 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：PG-TO-220-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.2 Ohms at 5 V
漏極連續(xù)電流：14.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BUZ31 H的詳細(xì)信息，包括BUZ31 H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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