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BUZ30A E3045A

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 2484  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
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BUZ30A E3045A PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:130 毫歐 @ 13.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:21A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1900pF @ 25V
功率 - 最大:125W
安裝類型:表面貼裝

以上是BUZ30A E3045A的詳細(xì)信息,包括BUZ30A E3045A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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