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BUV61

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-3
數(shù)量:
 1782  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Hi Pwr NPN Silicon Transistor
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BUV61-TO-3圖片

BUV61 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:100
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:250000 mW
封裝形式:TO-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
最大直流電集電極電流:50 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:200 V
集電極—基極電壓 VCBO:300 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:STMicroelectronics

以上是BUV61的詳細信息,包括BUV61廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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