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BUK762R7-30B,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 469
說明：: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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BUK762R7-30B,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 BUK762R7-30B
典型關(guān)閉延遲時間：113 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：107 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：118 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-404
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0027 Ohms
漏極連續(xù)電流：241 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

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