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BUK761R3-30E,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 5049
說明：: MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET

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BUK761R3-30E,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
功率耗散：357 W
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BUK761R3-30E,118的詳細(xì)信息，包括BUK761R3-30E,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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