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BU407HTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 1881
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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BU407HTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：60 W
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產(chǎn)品fT：10 MHz
最大直流電集電極電流：7 A
集電極—射極飽和電壓：150 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：150 V
集電極—基極電壓 VCBO：330 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BU407HTU的詳細(xì)信息，包括BU407HTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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