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BSS308PEH6327XT

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT-23
數(shù)量：
 11149  
說明：
 MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor
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BSS308PEH6327XT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSS308PE BSS308PEH6327XTSA1 H6327
典型關(guān)閉延遲時間：15.3 ns
上升時間：7.7 ns
功率耗散：500 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：- 5 nC
下降時間：2.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：80 mOhms at - 10 V
漏極連續(xù)電流：- 2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSS308PEH6327XT的詳細信息，包括BSS308PEH6327XT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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