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BSP295E6327T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 8163
說明：: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

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BSP295E6327T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫歐 @ 1.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.8A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：368pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是BSP295E6327T的詳細(xì)信息，包括BSP295E6327T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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