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BSP123E6327T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 7776
說明：: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

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BSP123E6327T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 歐姆 @ 370mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：370mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2.4nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：70pF @ 25V
功率 - 最大：1.79W
安裝類型：表面貼裝

以上是BSP123E6327T的詳細信息，包括BSP123E6327T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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