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BSM10GD120DN2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 EconoPACK 2
數(shù)量:
 4707  
說明:
 IGBT 模塊 1200V 10A FL BRIDGE
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BSM10GD120DN2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:500
安裝風(fēng)格:Screw
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:EconoPACK 2
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:80 W
柵極—射極漏泄電流:120 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:15 A
集電極—射極飽和電壓:2.7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Hex
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
制造商:Infineon

以上是BSM10GD120DN2的詳細(xì)信息,包括BSM10GD120DN2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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