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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數(shù)量:
 8208  
說明:
 IGBT MODULE 1200V 15A 80W
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:150°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:無
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):530 pF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):400 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,10A
功率 - 最大值:80 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):15 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:全橋
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:-
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是BSM10GD120DN2E3224BOSA1的詳細信息,包括BSM10GD120DN2E3224BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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