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BLF6G10LS-200R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT502B
數(shù)量：: 5022
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

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BLF6G10LS-200R PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：BLF6G10LS-200R,112
工廠包裝數(shù)量：20
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.06 Ohms
產(chǎn)品類型：MOSFET Power
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT502B
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：- 0.5 V to + 13 V
漏極連續(xù)電流：49 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

以上是BLF6G10LS-200R的詳細信息，包括BLF6G10LS-200R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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