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BLF6G10LS-135R,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-502B
數(shù)量：: 6345
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

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BLF6G10LS-135R,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：/T3 BLF6G10LS-135R
工廠包裝數(shù)量：100
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.23 Ohms
產(chǎn)品類型：MOSFET Power
功率耗散：125 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-502B
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：+/- 13 V
漏極連續(xù)電流：32 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：26.5 W
增益：21 dB
頻率：0.7 GHz to 1 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

以上是BLF6G10LS-135R,118的詳細(xì)信息，包括BLF6G10LS-135R,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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