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BF199_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 6093
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor

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BF199_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：38 at 7 mA at 10 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：1.1 GHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BF199_Q的詳細信息，包括BF199_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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