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BCR35PNE6433HTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT363-PO
數(shù)量：: 7236
說明：: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

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BCR35PNE6433HTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：250mW
頻率 - 躍遷：150MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 5mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：10 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BCR35PNE6433HTMA1的詳細信息，包括BCR35PNE6433HTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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