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BCR10PNE6327BTSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT363-PO
數(shù)量:
 7047  
說明:
 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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BCR10PNE6327BTSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:表面貼裝型
功率 - 最大值:250mW
頻率 - 躍遷:130MHz
電流 - 集電極截止(最大值):-
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2):10 千歐
電阻器 - 基極 (R1):10 千歐
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是BCR10PNE6327BTSA1的詳細(xì)信息,包括BCR10PNE6327BTSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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