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BC636TAR

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3 Kinked Lead
數(shù)量：: 4392
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BC636TAR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：- 1 A
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：- 45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 45 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 45 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BC636TAR的詳細(xì)信息，包括BC636TAR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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