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B65811P0000R049

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 4923
說(shuō)明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8 N49 2900 '+30%-20%

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B65811P0000R049 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長(zhǎng)度：0.913（23.20mm）
高度：0.228（5.80mm）
表面：無(wú)涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1860
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：55.4
有效面積 (Ae) mm2：64.9
有效長(zhǎng)度 (le) mm：28.7
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.44
初始磁導(dǎo)率 (μi)：1500
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1020
間隙：無(wú)缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：2.9 μH
直徑：-
材料：N49
封裝：RM 8 LP
磁心類型：RM
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：RM8/LP
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

以上是B65811P0000R049的詳細(xì)信息，包括B65811P0000R049廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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