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B65811P0000R087

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 5327
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8 N87 4100 '+30%-20%

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B65811P0000R087 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長(zhǎng)度：0.913（23.20mm）
高度：0.228（5.80mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1860
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：55.4
有效面積 (Ae) mm2：64.9
有效長(zhǎng)度 (le) mm：28.7
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.44
初始磁導(dǎo)率 (μi)：2200
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1440
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：4.1 μH
直徑：-
材料：N87
封裝：RM 8 LP
磁心類型：RM
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：RM8/LP
系列：托盤
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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